北京晶閘管是由三個PN結構成的一種大功率半導體器件。在性能上,晶閘管不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件更為可貴的可控性,它只有導通和關斷兩種狀態(tài)。 晶閘管的優(yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等。因此,特別是在大功率UPS供電系統(tǒng)中,在整流電路、靜態(tài)旁路開關、無觸點輸出開關等電路中得到廣泛的應用。
晶閘管的弱點:靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差,容易受干擾而誤導通。
一、交流側過電壓及其保護
由于交流側電路在接通斷開時出現(xiàn)暫態(tài)過程，因此產(chǎn)生過電壓。例如交流開關的開閉，交流側熔斷器熔斷等引起的過電壓。對于這類過電壓保護，目前普遍的保護方法是并接阻容吸收電路和壓敏電阻。
阻容吸收保護應用廣泛，性能可靠，但正常運行時電阻上消耗功率，引起電阻發(fā)熱，且體積較大，對于能量較大的過電壓不能*抑制。
壓敏電阻是一種非線性元件，它是以氧化鋅為基體的金屬氧化物，有兩個電極，極間充填有氧化鉍等晶粒。正常電壓時晶粒呈高阻，漏電流僅有100uA左右，但過電壓時發(fā)生的電子雪崩使其呈低阻，電流迅速增大從而吸收了過電壓。一般情況下，其在220 VAC電路里使用標稱470～680V，在380VAC電路里使用標稱780～1000V的壓敏電阻，由于其吸收電能的功率跟其直徑有關，直徑大的功率就大，一般選用直徑ф12～20的即可。
二、過電流保護
電力半導體開關器件對溫度的變化較為敏感，過電流會使半導體芯片過熱而造成品質下降，壽命降低甚至*性損壞。雖然模塊在10ms內可以承受額定電流10倍以上的非重復的浪涌電流，但很多時候過電流的時間都大于此值，很容易造成成*性損壞。因而，過電流的保護是很重要的，過電流的保護方法很多，像在交流進線串接漏抗大的整流變壓器、接電流檢測和過流繼電器和裝直流快速開關等措施，但關鍵在于反映速度要快。對于小于模塊浪涌電流值的過電流，常用的電子過流保護電路可以立即切斷可控硅的觸發(fā)脈沖，使可控硅在電流過零時換向時關斷，但對于在10/8.3ms(50/60HZ)以內超過SCR的浪涌電流承受值的浪涌電流和短路電流，一般的保護電路是無效的，應考慮采用半導體器件的快速熔斷器。熔斷器的標稱熔斷電流不應超過模塊標稱電流值的1.57倍。即小于模塊的通態(tài)電流的有效值。市售的快熔種類較多，質量差異較大，選擇時應慎重。
與普通熔斷器比較，半導體快速熔斷器是專門用來保護電力半導體功率器件過流的元件，它具有快速熔斷的特性，在流過6倍額定電流時其熔斷時間小于工頻的一個周期(20ms)。
快速熔斷器可接在交流側直流側或與晶閘管橋臂串聯(lián)，后者直接效果。一般說來快速熔斷器額定電流值(有效值)應小于被保護晶閘管的額定方均根通態(tài)電流(即有效值)ITRMS即1.57ITAV,同時要大于流過晶閘管的實際通態(tài)方均根電流(即有效值)IRMS。
三、電壓及電流上升率的保護
1、電壓上升率(dv/dt)
阻斷時，其陰陽極之間相當于存在一個PN結電容，當突加正向陽極電壓時會產(chǎn)生充電電容電流，此電流可能導致晶閘管誤導通。因此，對晶閘管施加的zui大正向電壓上升率必須加以限制。常用方法是在晶閘管兩端并聯(lián)阻容吸收元件。
2、電流上升率(di/dt)
晶閘管開通時，電流是從靠近門極開始導通然后逐漸擴展到整個陰極區(qū)直至全部導通，這個過程需要一定的時間。如果電流上升太快，使電流來不及擴展到整個管芯的有效PN結面，造成門極附近的陰極區(qū)局部電流密度過大，發(fā)熱過于集中，PN結的溫度迅速上升形成熱點，使其在很短的時間內超過額定結溫導致晶閘管工作失效甚至燒毀，所以必須限定晶閘管通態(tài)電流上升率(di/dt)。一般是在橋臂中串入電感或鐵淦氧磁環(huán)。
四、過熱保護
電力半導體模塊和其它功率器件一樣，工作時由于自身功耗而發(fā)熱。如果不采取適當措施將這種熱量散發(fā)出去，就會引起模塊管芯PN結溫度急劇上升,致使器件特性惡化，直至*損壞。功耗主要由導通損耗、開關損耗、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應用中zui主要的是導通損耗。
為了確保器件長期可靠地工作，設計時散熱器及其冷卻方式的選擇與電力半導體模塊的電流電壓的額定值選擇同等到重要，千萬不可大意！
服務熱線：010-64824799
產(chǎn)品分類
更新時間：2022-08-19 
瀏覽次數(shù)：1538
您的位置：