IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

產(chǎn)品型號：MG200Q2YS40
廠商性質：經(jīng)銷商
更新時間：2024-01-19
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TOSHIBA東芝200A1200V IGBT模塊MG200Q2YS40

High Power Switching Applications
Motor Control Applications

High input impedance
High speed : tf = 0.5µs (max)
trr = 0.5µs (max)
Low saturation voltage
: VCE (sat) = 4.0V (max)
Enhancement-mode
The electrodes are isolated from case

日本東芝 TOSHIBA IGBT 2單元600V系列：
MG25J2YS9	MG50J2YS9	MG75J2YS9	MG100J2YS9
MG25J2YS91	MG50J2YS91	MG75J2YS91	MG100J2YS91
MG150J2YS2	MG200J2YS2	MG75J2YS45	MG100J2YS45
MG150J2YS21	MG200J2YS21	MG300J2YS91	MG300J2YS9
MG150J2YS45	MG200J2YS45	MG300J2YS45
日本東芝 TOSHIBA IGBT 2單元1200V系列：
MG15Q2YS9	MG25N2YS40	MG25Q2YS9	MG75Q2YS1
MG100Q2YS1	MG100Q2YS9	MG25Q2YS91	MG75Q2YS11
MG100Q2YS11	MG100Q2YS91	MG150Q2YS9	MG150Q2YS11
MG150Q2YS91	MG200Q2YS9	MG200Q2YS11	MG200Q2YS91