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  • 富士7MBR100SD060富士IGBT模塊7MBR100SB060

    富士IGBT模塊7MBR100SB060,北京京誠宏泰科技有限公司銷售7MBR100SB060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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